Transistor IRF3710

Transistor IRF3710. Transistor. C (in): 3230pF. C (out): 420pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 57A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 23m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 49 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.