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Transistor IGBT 600V 20A IRG4BC20KDPBF

Référence produit : IRG4BC20KDPBF
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)600V
Courant collecteur (Ic)20A (à 25°C)
Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat))2.2V (typ.)
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))3.0V - 6.0V

Description technique du produit (IRG4BC20KDPBF):

Transistor IGBT 600V 20A IRG4BC20KDPBF. Ce composant est un IGBT de 600V, 20A avec une diode de récupération douce co-intégrée, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse.