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Transistor IGBT 600V 10A IRG4BC20FDPBF

Référence produit : IRG4BC20FDPBF
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)600V
Courant collecteur continu (Ic)10A (à 100°C)
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat))1.85V (typ. à 10A, 25°C)
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))3.0V - 6.0V

Description technique du produit (IRG4BC20FDPBF):

Transistor IGBT 600V 10A IRG4BC20FDPBF. L'IRG4BC20FDPBF est un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de puissance, conçu pour des applications de commutation à moyenne fréquence. Il offre une faible tension de saturation et une robustesse élevée, idéal pour les convertisseurs et les commandes de moteurs.