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Transistor MOSFET Canal N 30V 8.5A IRF7389

Référence produit : IRF7389
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source30V
Courant de drain continu8.5A
Résistance à l'état passant (Rds(on))18mΩ à Vgs=10V
Tension de seuil (Vgs(th))1V à 2.5V
Charge de grille (Qg)12nC (typique)

Description technique du produit (IRF7389):

Transistor MOSFET Canal N 30V 8.5A IRF7389. Transistor MOSFET à double canal N, conçu pour des applications de commutation de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour une efficacité élevée.