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Infineon Technologies
Transistor MOSFET Canal N 600V 20.7A SPP20N60S5
Référence produit : SPP20N60S5
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 8.10 € | — |
| 100+Meilleur prix | 7.70 € | -5% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 600V |
| Courant de drain continu (Id) | 20.7A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.19 Ohm (max) |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 3V (typ) |
| Charge de grille (Qg) | 70 nC (typ) |
Description technique du produit (SPP20N60S5):
Transistor MOSFET Canal N 600V 20.7A SPP20N60S5. Le SPP20N60S5 est un transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation haute performance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour une efficacité accrue.