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Infineon Technologies
Transistor IGBT 1200V 25A IKW25N120H3FKSA1
Référence produit : IKW25N120H3FKSA1
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 1 | 14.21 € | — |
| 2 – 3 | 12.74 € | -10% |
| 4 – 5 | 11.62 € | -18% |
| 6 – 29 | 10.52 € | -26% |
| 30+Meilleur prix | 10.49 € | -26% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 25A |
| Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat)) | 1.7V |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.5V |
Description technique du produit (IKW25N120H3FKSA1):
Transistor IGBT 1200V 25A IKW25N120H3FKSA1. IGBT de puissance en boîtier TO-247, optimisé pour les applications de commutation à haute fréquence et haute tension. Il offre une faible perte de conduction et de commutation.