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Infineon Technologies
Transistor IGBT 600V 10A IKP10N60T
Référence produit : IKP10N60T
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 2 | 3.89 € | — |
| 3 – 9 | 3.41 € | -12% |
| 10 – 19 | 3.11 € | -20% |
| 20 – 29 | 2.86 € | -26% |
| 30 – 49 | 2.66 € | -32% |
| 50+Meilleur prix | 2.66 € | -32% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 600V |
| Courant collecteur (Ic) | 10A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 1.7V |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 3.5V |
Description technique du produit (IKP10N60T):
Transistor IGBT 600V 10A IKP10N60T. Transistor IGBT de puissance en boîtier TO-220 FullPAK, optimisé pour les applications de commutation rapide et de haute tension.