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Infineon Technologies
Transistor IGBT 600V 40A IHW40N60RF
Référence produit : IHW40N60RF
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 9.49 € | — |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 600V |
| Courant collecteur (Ic) | 40A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 1.8V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.5V (typ.) |
Description technique du produit (IHW40N60RF):
Transistor IGBT 600V 40A IHW40N60RF. L'IHW40N60RF est un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de puissance, conçu pour des applications de commutation rapide et de haute tension. Il combine les avantages d'un MOSFET (haute impédance d'entrée) et d'un transistor bipolaire (faible tension de saturation).