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Infineon Technologies
Transistor IGBT 1200V 30A IHW30N120R5XKSA1
Référence produit : IHW30N120R5XKSA1
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 59 | 6.06 € | — |
| 60+Meilleur prix | 5.60 € | -8% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 30A (à 100°C) |
| Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat)) | 1.7V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 4.5V - 6.5V |
Description technique du produit (IHW30N120R5XKSA1):
Transistor IGBT 1200V 30A IHW30N120R5XKSA1. Transistor IGBT de puissance à haute tension et courant, optimisé pour les applications de commutation rapide et de conversion d'énergie.