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Infineon Technologies
Transistor IGBT 650V 75A IGW75N65H5XKSA1
Référence produit : IGW75N65H5XKSA1
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 9.62 € | — |
| 5 – 9 | 8.11 € | -16% |
| 10 – 19 | 7.84 € | -19% |
| 20 – 49 | 7.63 € | -21% |
| 50+Meilleur prix | 7.38 € | -23% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 650V |
| Courant collecteur (Ic) | 75A |
| Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat)) | 1.65V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.5V (typ.) |
Description technique du produit (IGW75N65H5XKSA1):
Transistor IGBT 650V 75A IGW75N65H5XKSA1. Transistor IGBT de puissance avec une tension collecteur-émetteur élevée et une faible tension de saturation, optimisé pour les applications de commutation rapide.