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Infineon Technologies
Transistor MOSFET Canal N 250V 0.2A BSS139
Référence produit : BSS139
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 19 | 0.70 € | — |
| 20 – 49 | 0.40 € | -43% |
| 50 – 99 | 0.36 € | -49% |
| 100 – 299 | 0.32 € | -54% |
| 300 – 2999 | 0.30 € | -57% |
| 3000+Meilleur prix | 0.30 € | -57% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension drain-source | 250V |
| Courant de drain continu | 200mA |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 1.5 Ohm @ Vgs=10V |
| Tension de seuil de grille (Vgs(th)) | 1V à 3V |
Description technique du produit (BSS139):
Transistor MOSFET Canal N 250V 0.2A BSS139. Le BSS139 est un transistor MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation à faible puissance et de pilotage de charge. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil de grille faible, le rendant adapté aux interfaces logiques.