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Infineon Technologies
Transistor MOSFET Canal N 100V 0.18A BSS119NH6327
Référence produit : BSS119NH6327
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 49 | 0.47 € | — |
| 50 – 99 | 0.19 € | -60% |
| 100 – 199 | 0.18 € | -62% |
| 200 – 299 | 0.17 € | -64% |
| 300 – 499 | 0.16 € | -66% |
| 500 – 2999 | 0.16 € | -66% |
| 3000+Meilleur prix | 0.16 € | -66% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 100V |
| Courant de drain continu (Id) | 0.18A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 7.5 Ohm (max) à Vgs=10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 0.8V à 2.0V |
| Charge de grille (Qg) | 1.5nC (typ) |
Description technique du produit (BSS119NH6327):
Transistor MOSFET Canal N 100V 0.18A BSS119NH6327. Le BSS119NH6327 est un transistor MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation de faible puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil de grille typique, ce qui le rend adapté aux circuits de commutation et de gestion de puissance.