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Infineon
Transistor IGBT 600V 30A SGW30N60HS
Référence produit : SGW30N60HS
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 9 | 12.62 € | — |
| 10+Meilleur prix | 9.94 € | -21% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 600V |
| Courant collecteur (Ic) | 30A |
| Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat)) | 1.8V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.5V (typ.) |
Description technique du produit (SGW30N60HS):
Transistor IGBT 600V 30A SGW30N60HS. Le SGW30N60HS est un transistor IGBT de puissance conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance. Il offre une faible tension de saturation et des pertes de commutation réduites, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs de puissance efficaces.