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Infineon
Transistor IGBT 1200V 25A IKW25N120T2
Référence produit : IKW25N120T2
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 16.72 € | — |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 25A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 2.0V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 4.5V - 6.5V |
Description technique du produit (IKW25N120T2):
Transistor IGBT 1200V 25A IKW25N120T2. L'IKW25N120T2 est un transistor IGBT de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation rapide et de haute tension. Il offre une faible tension de saturation et des pertes de commutation réduites, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs de puissance.