Transistor IKW50N60H3

Transistor IKW50N60H3. Transistor. C (in): 116pF. C (out): 2960pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 130 ns. Tension de seuil de la diode: 1.65V. Fonction: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Courant de collecteur: 100A. Ic(puls): 200A. Ic(T=100°C): 50A. Marquage sur le boîtier: K50H603. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 333W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 235 ns. Td(on): 23 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.