Transistor IKP15N60T

Transistor IKP15N60T. Transistor. C (in): 860pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Fonction: IGBT haute vitesse en technologie NPT. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 45A. Ic(T=100°C): 15A. Marquage sur le boîtier: K15T60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 130W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 188 ns. Td(on): 17 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-3-1. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.05V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.