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Hitachi

Transistor MOSFET canal P -100V -10A 2SJ79

Référence produit : 2SJ79
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source-100V
Courant de drain continu-10A
Résistance à l'état passant0.2 Ohm (max)
Tension de seuil-1.0V à -2.5V
Charge de grille20nC (typ)

Description technique du produit (2SJ79):

Transistor MOSFET canal P -100V -10A 2SJ79. Le 2SJ79 est un transistor MOSFET de puissance à canal P conçu pour des applications de commutation à haute vitesse et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée, le rendant adapté aux convertisseurs DC-DC, aux contrôleurs de moteurs et aux alimentations à découpage.