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Hitachi

Transistor FET canal P -30V -0.02A 2SJ119

Référence produit : 2SJ119
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension drain-source-30V
Courant de drain-20mA
Tension de seuil (Vgs(off))-0.5V à -3.0V
Courant de drain saturé (Idss)2mA à 6mA

Description technique du produit (2SJ119):

Transistor FET canal P -30V -0.02A 2SJ119. Le 2SJ119 est un transistor à effet de champ à jonction (JFET) de type Canal P, conçu pour des applications d'amplification et de commutation à faible puissance. Il offre une haute impédance d'entrée et est adapté aux circuits nécessitant une faible consommation de courant.