Transistor HGTG20N60B3D

Transistor HGTG20N60B3D. Transistor. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 45 ns. Fonction: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 160A. Ic(T=100°C): 20A. Marquage sur le boîtier: G20N60B3D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 165W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 220 ns. Td(on): 25 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Spec info: Temps de chute typique 140ns à 150°C. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 08:25.