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Fuji Electric
Transistor MOSFET Canal N 600V 10A 2SK3699-01MR
Référence produit : 2SK3699-01MR
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 5.48 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 600V |
| Courant de drain (Id) | 10A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.65Ω |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2.0-4.0V |
| Charge de grille (Qg) | 25nC |
Description technique du produit (2SK3699-01MR):
Transistor MOSFET Canal N 600V 10A 2SK3699-01MR. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et de gestion de puissance.