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Fuji Electric

Transistor MOSFET Canal N 800V 15A 2SK2761

Référence produit : 2SK2761
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)800V
Courant de drain (Id)15A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.55Ω
Tension de seuil de grille (Vgs(th))2.0-4.0V
Charge de grille (Qg)60nC

Description technique du produit (2SK2761):

Transistor MOSFET Canal N 800V 15A 2SK2761. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance.