Transistor FQPF10N60C

Transistor FQPF10N60C. Transistor. C (in): 1570pF. C (out): 166pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 420 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 38A. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9.5A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 0.6 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 144 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 44nC, faible Crss 18pF. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 22:25.