Transistor canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - FQP7N80

Transistor canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - FQP7N80. Transistor canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1420pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 26.4A. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 167W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 95 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 23:25.