Transistor FQA19N60

Transistor FQA19N60. Transistor. C (in): 2800pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 420 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 74A. Id (T=100°C): 11.7A. Id (T=25°C): 18.5A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 65 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 00:25.