Transistor FGH40N60SMDF

Transistor FGH40N60SMDF. Transistor. C (in): 1880pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 70 ns. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 40A. Dissipation de puissance maxi: 349W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 92 ns. Td(on): 12 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 30. Fonction: onduleur solaire, UPS, Poste de soudage, PFC, Télécom, ESS. Spec info: Ic 80A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 120A (pulsed). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.