Transistor FDS6690A

Transistor FDS6690A. Transistor. C (in): 1205pF. C (out): 290pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2500. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 24 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 9.8m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 28 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: commande par niveau logique. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 17:25.