Transistor FDP18N50

Transistor FDP18N50. Transistor. C (in): 2200pF. C (out): 330pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 72A. Id (T=100°C): 10.8A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 235W. Résistance passante Rds On: 0.22 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 95 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: N-Channel MOSFET (UniFET). Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 10:25.