Transistor FDD5614P

Transistor FDD5614P. Transistor. RoHS: oui. C (in): 759pF. C (out): 90pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): composant monté en surface (CMS). Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Id(imp): 45A. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 1uA. Remarque: transistor à commande de porte par niveau logique. Marquage sur le boîtier: FDD5614P. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 0.076 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.