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Fairchild

Transistor IGBT 600V 40A HGTG40N60B3

Référence produit : HGTG40N60B3
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)600V
Courant collecteur (Ic)40A à 100°C
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat))1.8V (typ.) à Ic=40A, Vge=15V
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))4.0V à 6.0V

Description technique du produit (HGTG40N60B3):

Transistor IGBT 600V 40A HGTG40N60B3. Le HGTG40N60B3 est un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de puissance conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance. Il offre une faible tension de saturation et une robustesse élevée.