Diodes Varicap et RF

Diode. RoHS: non. Famille de composants: Diode PIN au silicium. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOD-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. If [A]: 0.1A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 35V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1uA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C. Tension directe Vfmax (V): 0.9V @ 100mA

Diode. RoHS: non. Famille de composants: Diode PIN au silicium. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-34. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 0.05A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 50nA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C. Tension directe Vfmax (V): 1V @ 20mA

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode PIN au silicium. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOD-323. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. If [A]: 0.1A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 175V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1uA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension directe Vfmax (V): 0.95V @ 50mA

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode PIN au silicium. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOD-323. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. If [A]: 0.1A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 50V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10nA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C. Tension directe Vfmax (V): 0.95V @ 100mA

ROHS: Oui. Boîtier: SOT23. Fréquence: 1MHz. Type de diode: capacitif. Montage/installation: SMD. Tension inverse maxi: 30V. Courant: 20mA. Capacité: 30pF, 4.3...32pF. Structure semi-conductrice: diode. Courant de fuite: 20nA

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode varicap. IF(AV): 20mA. Température: +125°C. Capacité: 32pF. Capacité: 4.3pF. Bande de fréquence: VHF. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT23. Température de fonctionnement: -55...+125°C. VRRM: 30 v. Nombre de connexions: 3. Remarque: Diode varicap. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Vr min 3V, 28-32pF, Vr max 25V 4.3-6pF