Diodes standard et de redressement

Diode, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5us. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms

Diode, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5us. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Nombre de connexions: 2. Remarque: entraxe 15mm. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms

Diode, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 1000V. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 40pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5us. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms

Diode, 15mA, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 70V. IF(AV): 15mA. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 70V. Cj: 2pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: détection VHF/UHF. IRM (max): 0.2uA. RoHS: oui. Distance entre connexions (pas): 4.5x2mm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.41V. Nombre de connexions: 2. Remarque: diode Schottky. Quantité par boîtier: 1. Spec info: f=1MHz 2pF

Diode, 15mA, SOD-123, SOD123, 70V. IF(AV): 15mA. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123. VRRM: 70V. Cj: 2pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: détection VHF/UHF. IRM (max): 0.2uA. Marquage sur le boîtier: SA. Dimensions: 2.85x1.7x1.35mm. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.41V. Nombre de connexions: 2. Remarque: diode Schottky. Quantité par boîtier: 1. Spec info: f=1MHz 2pF

Diode, 1A, 25A, DO-204, DO-204AL ( 5.2x2.7mm ), 20V. IF(AV): 1A. IFSM: 25A. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AL ( 5.2x2.7mm ). VRRM: 20V. Cj: 110pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.45V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode, 1A, 25A, DO-41, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 30 v. IF(AV): 1A. IFSM: 25A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 30 v. Cj: 110pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.875V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms

Diode, 1A, 25A, SOD-123, SOD123 ( 2.85x1.7mm ), 40V. IF(AV): 1A. IFSM: 25A. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123 ( 2.85x1.7mm ). VRRM: 40V. Cj: 50pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 1.5mA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: SL. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Puissance: 450mW. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.32V. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms

Diode, 15mA, 50mA, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 60V. IF(AV): 15mA. IFSM: 50mA. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 2.2pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Ultrafast switching. IRM (max): 0.2uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -60...+200°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.41V. Nombre de connexions: 2. Remarque: Diode Schottky de commutation. Remarque: f=1MHz 2.2pF. Remarque: détection VHF/UHF

Diode, 300mA, 4A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 100V. IF(AV): 300mA. IFSM: 4A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 5uA. IRM (min): 25nA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: 0...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 620mV. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--1Ap t=1sec

Diode, 1A, DO-15, DO-15 ( 6.0x3.4mm ), 1000V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 6.0x3.4mm ). VRRM: 1000V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: Ifsm 10Ap. Remarque: redresseurs de puissance à découpage

Diode, 130mA, 400mA, DO-34 ( SOD68 ), DO-34, 80V. IF(AV): 130mA. IFSM: 400mA. Boîtier: DO-34 ( SOD68 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-34. VRRM: 80V. Cj: 2pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. IRM (max): 0.5uA. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode, 100mA, 500mA, SOD-323, SOD-323 ( 1.7x1.25mm ), 80V. IF(AV): 100mA. IFSM: 500mA. Boîtier: SOD-323. Boîtier (selon fiche technique): SOD-323 ( 1.7x1.25mm ). VRRM: 80V. Cj: 3pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM 0.5A (t=1s)

Diode, 20A, 310A, DO-201, DO-201AD ( 7.5x5.4mm ), 45V. IF(AV): 20A. IFSM: 310A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). Vrms: 45V. Cj: 720pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.25V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Schottky Barrier Rectifier Diode. Spec info: IFSM--310Ap 50Hz t=10ms, 350Ap 60Hz t=8.3ms

Diode, 3A, 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms), DO-214, SMC (8.1x6.2x2.6mm), 100V. IF(AV): 3A. IFSM: 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC (8.1x6.2x2.6mm). VRRM: 100V. Cj: 115pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. Marquage sur le boîtier: 3J. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.96V. Tension de seuil Vf (min): 0.62V

Diode, TO-247, TO-247AC. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Remarque: 920App / 5us. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: Double diode de redressement à barrière Schottky

Diode, 15A, 340A, TO-247, TO-247AC, 150V. IF(AV): 15A. IFSM: 340A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. VRRM: 150V. Cj: 340pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Remarque: cathode commune. IRM (max): 15mA. IRM (min): 0.1mA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.19V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Fonction: Double diode de redressement à barrière Schottky. Spec info: IFSM--Max

Diode, 3A, DO-27, DO-27( 5.5x9.5mm ), 200V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27( 5.5x9.5mm ). VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 'Fast Recovery Rectifiers'. Remarque: 200App/10ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 3A, DO-27, DO-27( 5.5x9.5mm ), 400V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27( 5.5x9.5mm ). VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 'Fast Recovery Rectifiers'. Remarque: 200App/10ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 3A, 45A, DO-201, DO-201AD ( 5.6x10mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 45A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 5.6x10mm ). VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra-Fast Recovery. IRM (max): 100uA. IRM (min): 20uA. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V

Diode, 3A, DO-201, DO-201AD 8x6mm, 600V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD 8x6mm. VRRM: 600V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Diode Tff(25°C): 200 ns. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: HIGH Speed Rectifier, (Fast Recovery). IRM (max): 100uA. Marquage sur le boîtier: 3JU. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 2V

Diode, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB ( DO-5 ), 100V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB ( DO-5 ). VRRM: 100V. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Diode, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 1200V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 1200V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 9mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Diode, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 1600V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 1600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 4.5mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: Fixation filetée. Température de fonctionnement: -65...+160°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Diode, 40A, 62A, 570A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 400V. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 400V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Haute capacité de courant crête. IRM (max): 9mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)