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Diodes Inc.

Transistor NPN 120V 0.5A ZTX649

Référence produit : ZTX649
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vceo)120 V
Courant collecteur continu (Ic)500 mA
Gain en courant continu (hFE)100 (min)
Tension collecteur-base (Vcbo)120 V
Tension collecteur-émetteur en saturation (Vce(sat))250 mV (max)
Fréquence de transition (fT)150 MHz (min)

Description technique du produit (ZTX649):

Transistor NPN 120V 0.5A ZTX649. Le ZTX649 est un transistor bipolaire NPN de puissance moyenne, conçu pour des applications de commutation et d'amplification à haute tension. Il offre une bonne performance dans les circuits de régulation linéaire et d'amplification audio.