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Diodes Inc.

Diode rapide 50V 0.2A 1N4150

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Référence produit : 1N4150
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)50V
Courant direct (If)200mA
Tension directe (Vf)1.0V @ 100mA
Temps de recouvrement (trr)4ns
Courant de fuite (Ir)100nA @ 50V
Courant de crête non répétitif (Ifsm)1A

Description technique du produit (1N4150):

Diode rapide 50V 0.2A 1N4150. La 1N4150 est une diode de commutation rapide à petit signal, conçue pour des applications nécessitant des temps de commutation rapides et une faible capacité. Elle est encapsulée dans un boîtier en verre axial DO-35.

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