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Taiwan Semiconductor

Diode transil unidirectionnelle 60V 600W SMBJ60A

Référence produit : SMBJ60A
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrwm)60V
Tension de claquage (Vbr)66.7V (min)
Tension d'écrêtage (Vc)96.8V
Courant de crête impulsionnel (Ipp)6.2A
Puissance de crête impulsionnelle (Pppm)600W

Description technique du produit (SMBJ60A):

Diode transil unidirectionnelle 60V 600W SMBJ60A. Diode de protection transil (TVS) unidirectionnelle, conçue pour protéger les circuits électroniques sensibles contre les transitoires de tension induits par la foudre et d'autres événements transitoires. Elle offre une excellente capacité d'écrêtage et un temps de réponse rapide.