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Taiwan Semiconductor

Diode transil unidirectionnelle 40V 600W SMBJ40A

Référence produit : SMBJ40A
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrwm)40V
Tension de claquage (Vbr)44.4V - 49.1V
Tension d'écrêtage (Vc)64.5V
Courant de crête impulsionnel (Ipp)23.3A
Puissance de crête impulsionnelle (Pppm)600W

Description technique du produit (SMBJ40A):

Diode transil unidirectionnelle 40V 600W SMBJ40A. Diode de protection transil (TVS) de 600W, conçue pour protéger les équipements sensibles contre les transitoires de tension induits par la foudre et d'autres événements transitoires.