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Onsemi (fairchild)

Diode transil unidirectionnelle 33V 600W SMBJ33A

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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de travail (Vrwm)33V
Tension de claquage (Vbr)36.7V (min)
Tension d'écrêtage (Vc)53.3V
Courant de crête impulsionnel (Ipp)11.3A
Puissance de crête impulsionnelle (Pppm)600W

Description technique du produit (SMBJ33A):

Diode transil unidirectionnelle 33V 600W SMBJ33A. Diode de protection transil (TVS) unidirectionnelle de 600W en boîtier SMB, conçue pour protéger les circuits sensibles contre les surtensions transitoires induites par la foudre et d'autres événements transitoires.