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On Semiconductor
Diode transil unidirectionnelle 180V 600W P6SMB180A
Référence produit : P6SMB180A
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 48 | 0.53 € | — |
| 49 – 199 | 0.24 € | -55% |
| 200 – 469 | 0.22 € | -58% |
| 470 – 499 | 0.20 € | -62% |
| 500 – 509 | 0.19 € | -64% |
| 510 – 2499 | 0.18 € | -66% |
| 2500+Meilleur prix | 0.18 € | -66% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension inverse de travail maximale (Vrwm) | 180V |
| Tension de claquage (Vbr) | 200V (min) |
| Tension d'écrêtage (Vc) | 292V |
| Courant de crête impulsionnel (Ipp) | 2.05A |
| Puissance de crête impulsionnelle (Pppm) | 600W |
Description technique du produit (P6SMB180A):
Diode transil unidirectionnelle 180V 600W P6SMB180A. Diode Transil (TVS) de surface, conçue pour la protection contre les surtensions transitoires. Elle offre une capacité de puissance de crête de 600W avec un temps de réponse rapide.