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Taiwan Semiconductor
Diode transil unidirectionnelle 12V 600W SMBJ12A
Référence produit : SMBJ12A
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|---|---|---|
| 1 – 199 | 0.28 € | — |
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Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension inverse de travail (Vrwm) | 12V |
| Tension de claquage (Vbr) | 13.3V (min) |
| Tension d'écrêtage (Vc) | 19.9V |
| Courant de crête impulsionnel (Ipp) | 21.1A |
| Puissance de crête impulsionnelle (Pppm) | 600W |
Description technique du produit (SMBJ12A):
Diode transil unidirectionnelle 12V 600W SMBJ12A. Diode Transil (TVS) de surface, conçue pour la protection contre les surtensions transitoires. Elle offre une capacité de puissance de crête de 600W pour une forme d'onde de 10/1000µs.