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Taiwan Semiconductor
Diode transil bidirectionnelle 15.3V 600W P6SMB18CAM4G
Référence produit : P6SMB18CAM4G
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 1.43 € | — |
| 5 – 9 | 0.89 € | -38% |
| 10 – 19 | 0.74 € | -48% |
| 20 – 49 | 0.67 € | -53% |
| 50+Meilleur prix | 0.61 € | -57% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension inverse de travail maximale (Vrwm) | 15.3V |
| Tension de claquage (Vbr) | 17.1V (min) |
| Tension d'écrêtage (Vc) | 24.4V |
| Puissance de crête impulsionnelle (Pppm) | 600W |
| Courant de crête impulsionnel (Ipp) | 24.6A |
Description technique du produit (P6SMB18CAM4G):
Diode transil bidirectionnelle 15.3V 600W P6SMB18CAM4G. Diode Transil (TVS) bidirectionnelle de 600W en boîtier SMB, conçue pour la protection contre les surtensions transitoires.