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Taiwan Semicon

Diode transil bidirectionnelle 128V 600W P6SMB150CA

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Référence produit : P6SMB150CA
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de travail maximale (Vrwm)128V
Tension de claquage (Vbr)142V (min)
Tension d'écrêtage (Vc)207V
Courant de crête impulsionnel (Ipp)2.9A
Puissance de crête impulsionnelle (Pppm)600W

Description technique du produit (P6SMB150CA):

Diode transil bidirectionnelle 128V 600W P6SMB150CA. Diode Transil bidirectionnelle de surface (SMD) en boîtier SMB, conçue pour la protection contre les surtensions transitoires. Elle offre une puissance de crête de 600W pour une forme d'onde 10/1000µs.

. Vendu par lot de 50 (le prix affiché est pour un lot de 50)