En stock
Infineon Technologies
Diode Schottky 650V 20A IDH20G65C6XKSA1
Vendu par lot de 50 (le prix affiché est pour un lot de 50)
Référence produit : IDH20G65C6XKSA1
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 516.34 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension inverse de crête (Vrrm) | 650V |
| Courant direct (If) | 20A |
| Tension directe (Vf) | 1.35V |
| Courant de crête non répétitif (Ifsm) | 100A |
| Courant de fuite (Ir) | 10µA |
Description technique du produit (IDH20G65C6XKSA1):
Diode Schottky 650V 20A IDH20G65C6XKSA1. La IDH20G65C6XKSA1 est une diode Schottky en carbure de silicium (SiC) de 650V, 20A, conçue pour des applications de puissance exigeantes. Elle offre une commutation ultra-rapide et des pertes de commutation minimales grâce à l'absence de charge de recouvrement inverse, ce qui améliore l'efficacité des systèmes.
. Vendu par lot de 50 (le prix affiché est pour un lot de 50)