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Taiwan Semiconductor

Diode Schottky 60V 3A TSSW3U60

Référence produit : TSSW3U60
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)60V
Courant direct (If)3A
Tension directe (Vf)0.5V @ 3A
Courant de crête non répétitif (Ifsm)70A
Courant de fuite (Ir)100µA

Description technique du produit (TSSW3U60):

Diode Schottky 60V 3A TSSW3U60. Diode Schottky de redressement ultra-rapide, caractérisée par une faible chute de tension directe et un temps de commutation très rapide. Idéale pour les applications nécessitant une haute efficacité.