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ON Semiconductor

Diode Schottky 60V 3A MBR360

Référence produit : MBR360
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)60V
Courant direct (If)3A
Tension directe (Vf)0.7V @ 3A
Courant de crête non répétitif (Ifsm)80A
Courant de fuite (Ir)0.5mA

Description technique du produit (MBR360):

Diode Schottky 60V 3A MBR360. Diode de redressement Schottky à barrière, offrant une faible chute de tension directe et un temps de commutation très rapide. Idéale pour les applications de redressement à haute fréquence.