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Nxp Semiconductors
Diode Schottky 60V 1A PMEG6010CEJ
Référence produit : PMEG6010CEJ
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 2999 | 0.19 € | — |
| 3000+Meilleur prix | 0.17 € | -11% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension inverse de crête (Vrrm) | 60V |
| Courant direct (If) | 1A |
| Tension directe (Vf) | 0.5V (typ.) |
| Courant de crête non répétitif (Ifsm) | 30A |
| Courant de fuite (Ir) | 10µA |
Description technique du produit (PMEG6010CEJ):
Diode Schottky 60V 1A PMEG6010CEJ. Diode Schottky de puissance à faible tension directe et temps de commutation rapide, encapsulée dans un boîtier SOD-323F compact. Idéale pour les applications de redressement et de commutation rapide.