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Diode Schottky 50V 6A MBRD650CTT4G

Référence produit : MBRD650CTT4G
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)50V
Courant direct (If)6A (par diode)
Tension directe (Vf)0.55V @ 3A
Courant de crête non répétitif (Ifsm)100A
Courant de fuite (Ir)0.1mA

Description technique du produit (MBRD650CTT4G):

Diode Schottky 50V 6A MBRD650CTT4G. Diode de redressement Schottky double, à cathode commune, conçue pour des applications de redressement à haute fréquence et de faible perte.