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Nxp Semiconductors

Diode Schottky 50V 0.1A BAT86-133

Référence produit : BAT86-133
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)50V
Courant direct (If)100mA
Tension directe (Vf)0.4V @ 100mA
Courant de crête non répétitif (Ifsm)0.5A
Courant de fuite (Ir)200nA

Description technique du produit (BAT86-133):

Diode Schottky 50V 0.1A BAT86-133. Diode Schottky de commutation rapide, caractérisée par une faible tension directe et un temps de recouvrement inverse très court. Idéale pour les applications de redressement à haute fréquence et de protection.