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Infineon Technologies

Diode Schottky 4V 0.1A BAT18-04

Référence produit : BAT18-04
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Vrrm4V
If100mA
Vf0.3V @ 10mA
Ir100nA @ 1V
Ct1pF @ 1MHz

Description technique du produit (BAT18-04):

Diode Schottky 4V 0.1A BAT18-04. Diode Schottky à faible tension inverse, conçue pour les applications de commutation rapide et de détection RF. Elle offre une faible tension directe et un temps de commutation très rapide.