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Agilent Technologies
Diode Schottky 4V 0.015A HSMS-8207
Référence produit : HSMS-8207
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 2 | 2.70 € | — |
| 3 – 9 | 2.23 € | -17% |
| 10 – 19 | 1.94 € | -28% |
| 20 – 49 | 1.70 € | -37% |
| 50 – 99 | 1.52 € | -44% |
| 100+Meilleur prix | 1.44 € | -47% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension inverse de crête (Vrrm) | 4V |
| Courant direct (If) | 15mA |
| Tension directe (Vf) | 0.2V @ 1mA |
| Courant de fuite (Ir) | 100nA @ 3V |
| Capacité (Ct) | 0.3pF @ 0V, 1MHz |
Description technique du produit (HSMS-8207):
Diode Schottky 4V 0.015A HSMS-8207. La HSMS-8207 est une diode Schottky à faible barrière conçue pour les applications de détection et de mélange de signaux RF à haute fréquence. Elle offre une faible tension directe et une faible capacité, ce qui la rend idéale pour les circuits RF sensibles.