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Taiwan Semiconductor

Diode Schottky 45V 30A MBR3045PT

Référence produit : MBR3045PT
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)45V
Courant direct (If)30A (total)
Tension directe (Vf)0.65V @ 15A
Courant de crête non répétitif (Ifsm)150A
Courant de fuite (Ir)0.1mA

Description technique du produit (MBR3045PT):

Diode Schottky 45V 30A MBR3045PT. Diode Schottky de puissance à double redresseur, conçue pour des applications de redressement à haute efficacité et de commutation rapide. Elle offre une faible chute de tension directe et une capacité de courant élevée.