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Diode Schottky 40V 1A BA479G
Référence produit : BA479G
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 0.32 € | — |
| 100+Meilleur prix | 0.24 € | -25% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension inverse de crête (Vrrm) | 40V |
| Courant direct (If) | 1A |
| Tension directe (Vf) | 0.5V @ 1A |
| Courant de fuite (Ir) | 0.5mA @ 40V |
| Courant de crête non répétitif (Ifsm) | 30A |
Description technique du produit (BA479G):
Diode Schottky 40V 1A BA479G. Diode Schottky de barrière, conçue pour des applications de redressement à haute fréquence et de commutation rapide. Elle offre une faible tension directe et un temps de recouvrement inverse très court.